반도체
반도체 소자의 크기, 모양 및 위치를 정확하게 측정하기 위해 사용됩니다
반도체 측정장비는 반도체 제조 및 연구 과정에서 사용되는 다양한 장비로, 반도체 소자의 특성 및 성능을 측정하고 평가하는 데에 활용됩니다. 이러한 장비들은 반도체 산업에서 품질 향상, 생산성 향상 및 연구 및 개발 프로세스를 지원하는 데 중요한 역할을 합니다.
반도체 측정 및 검사
Measurement
박막두께 측정시스템 SE
■ Model : AE – 128
• 측정 항목 : Å ~ ㎛ 범위의 단층 및 다층 박막의 두께 측정
• Beam Diameter : 120μm*300μm
• Spectral Range : 245nm to 1000nm (Option :~ 1700nm)
• Fast Camera Sample Alignment
• UV Spectrometer : 1.6nm pixel resolution, ~ 5nm
• NIR Spectrometer : – 3.2nm pixel resolution, ~10nm bandwidth (NIR)
• 옵션 : SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
■ Full Auto Mapping Thin-Film Measurement System (Ellipsometer or Reflectometer)
Measurement
메탈박막 측정 시스템
■ Micro XRF System
■ Model : AX – 128
• 측정 항목 : 소재 포함 총 5층(각 층의 10개 원소), 25개 원소의 동시 측정
• 웨이퍼 사이즈 : 4~12inch
• X-ray : 50W Mo target with Capillary Optics
• Beam spot size: 7.5um FWHM
•검출기 : Larger Window, 70mm2, high flux SDD with 135eV resolution
• 초점거리 : ~ 0.5 mm (0.02inch)
• 비디오 배율 : 매크로 – 45x (5x digital zoom)
마이크로 – 150x
• 옵션 : SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
웨이퍼 패드, 솔더 범프 혹은 SMD에 코팅된 직경이 30μm인 Au,Ni, Sn, SnAg, Cu 및 기타 금속의 도금 두께를 정확하게 측정 할 수 있습니다.
■ Micro XRF System
반도체
반도체-Wafer 표면검사
■ Deep Learning - Wafer inspection System
■ Model : AWI – 128
• Wafer Size : 4~12 inch
• 옵션 : SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
■ 360도 멀티조명 및 이미지 프로세싱 기술을 활용한 최상의 연마불량, 얼룩 검출
Result ( 광학필터처리만 )
Result ( 광학필터처리만 )
After_Processing
After_Processing
– 360 degrees Free illumination & Surface Property imaging
Just one sensor can do the inspections impossible so far
반도체
반도체-Wafer 측정
■ Monitoring wafer Bow, Warp, TTV and Thickness measurement
■ 특징
• 적용 Cassette : 6, 8inch
• 구동 스테이지 : X: 350, Y: 350
• Wafer 안착 : Vacuum Pad 장착
• Load port : Front
• Aligner : Centering & Notch Alignment
• Robot : Wafer Transfer Robot (Duel)
• Mapping System.
• 네비게이터 맵 기능
■ 3 TECHNICAL SPECFICATIONS OF FLYING SPOT SCANNER
■ 스펙
반도체
반도체-Wafer 표면검사
■ NCG두께측정기
레이어에서 반사된 일정한 광파는 측정 대상물의 경계에서 구분되어 각 레이어 두께를 측정합니다.
NCG는 다양한 종류의 부품인 유리, 플라스틱, 실리콘 웨이퍼 등의 두께를 제어하 도록 설계되었습니다. 적외선 광원을 이용하여 불투명 물질을 측정할 수 있습니다. 당사의 게이지는 기계 사이클 시간,
최종 제품의 품질을 개선 및 유지하고 주요 작업 단 계 전, 도중 또는 후에 프로세스를 제어하도록 설계되었습니다. NCG는 정확하고 빠 른 부품 두께 제어를 위해 모든 기계와 인터페이스 할 수 있는 고속 정밀 측정기입니다.
지정된 기술 사양 한도 내에서, 건조하거나 습한 환경에 관계없이 고정장치 또는 기계 내부에 설치하여 사용할 수 있습니다.
응용분야
• 다양한 유형의 실리콘. 사파이어 웨이퍼 두께 측정
• 백 그라인딩 연삭기 및 래핑 기계의 공정 중 제어
• 얇거나 두꺼운 각각의 레이어 측정
• 테이프 두께 제어
장점
• 측정 시간 최적화
• 보증된 균일한 생산성 제어
• 생산 향상 보장
• 생산 이력 추적
■ NCG두께측정기
반도체
반도체-Wafer 면저항측정
■ 표면 저항, 비저항 측정
■ Model : AF – 128
• 측정 데이터 저장 (날짜, 샘플모델, 사용자 지정 선택)
• 사용자 지정 포인트 저장 후 각 샘플 별 반복측정 기능
• Vision Aligner Camera
• Mapping (Wafer : 0~300mm)
• 측정 범위 1mΩ/sq. ~ 1GΩ/sq. , 10.0 μΩ·㎝ ~ 10.0 MΩ·㎝
• 2D, 3D Graphic viewer.
• 옵션 : SPC 및 MES 연동하여 내부 공정 및 계측기와 연동 가능
산업용 다관절로봇 사용하여 사파이어 웨이퍼 이송반도체
반도체-Wafer 평탄도 측정
■ 웨이퍼 평탄도 측정기 ( 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼)
• 검사 카세트 10개 로딩 가능
• 불량 카세트 4개 로딩 가능
• 1 Cycle Time : ~ 15초 ( 평탄도측정장비 / 측정시간 5초 포함)
– 측정 데이터 실시간 양불 판정 가능
• 측정 화면 스크린샷하여 지정폴더에 저장
• MES 및 SPC 연동 가능
